花旗(C)最新报告的核心判断是，AI正从一次性训练走向持续学习，存储需求逻辑正在发生结构性变化。HBM、服务器DRAM和eSSD有望同步扩张，而供给扩张受限于产能分配和建设周期，供需缺口可能持续扩大至2031年。这一轮存储景气不再只是传统补库存周期，而越来越呈现由AI计算架构变化驱动的结构性特征，存储芯片制造商、半导体设备与材料厂商均可能从中受益。
花旗预计，从2027年开始，AI训练与推理对存储的需求有望同时加速。其中，HBM受益于持续训练和模型更新，服务器DDR5及SoCAMM2受益于AI推理和CPU工作负载增加，eSSD则承担大量历史数据和KV Cache等数据的长期存储需求。
在所有存储产品中，HBM仍是AI训练和持续学习最直接的受益领域之一。花旗预计，2027年HBM bit需求将同比增长62%至752亿Gb，2028年进一步同比增长69%至1270亿Gb。即便存储厂商积极扩产，HBM供应仍可能无法追上需求，2027年供应缺口约为21%，2028年可能扩大至约36%。
服务器DRAM则有望成为AI推理及持续学习扩张的重要受益者。花旗预计，2027年服务器DRAM需求将增长超过50%，由2026年的2263亿个1Gb等效单位增长至2027年的3417亿个，服务器将贡献全球DRAM需求的约67%。与此同时，eSSD需求也可能增长约50%。存储客户正在把部分长期供应协议的期限从三年延长至五年，反映出市场对未来多年存储需求能见度正在提高。
NAND市场同样可能成为持续学习时代的重要受益者。花旗预计，2027年全球NAND需求将同比增长29.1%，高于21.2%的供应增长；其中企业级SSD需求预计同比增长52.9%。推动这一增长的重要因素之一是KV Cache卸载，随着部分AI加速器降低HBM配置，越来越多KV Cache及其他内存工作负载可能被转移至外部存储，高容量QLC企业级SSD因此有望获得更多需求。
供需紧张也意味着存储价格仍可能维持强势。花旗预计，2027年全球DRAM bit需求将同比增长约30.2%，明显高于18.8%的供应增速，市场缺口约为8.7%；到2028年，供应缺口预计进一步扩大至约9.7%。在2026年DRAM综合平均售价大涨242.4%之后，2027年DRAM综合ASP仍可能同比上涨23.1%。NAND市场2027年供应缺口预计达到约6.1%，2028年约为5.5%。花旗预计，在持续学习、高密度eSSD、英伟达KV Cache卸载以及2028年以后个人AI和实体AI需求共同推动下，全球存储供应紧张可能在2028年进一步恶化，并延续至2031年。
