2026 年 AI 算力建设热潮持续向上游传导，存储芯片成为半导体赛道景气度最高的细分领域，美光科技（NASDAQ: MU）与 SanDisk（NASDAQ: SNDK）股价年内大幅走高，却在 6 月下旬自阶段高点集体回撤超 20%。此番调整是短期情绪错杀，还是行业周期拐点已至？AI 存储的长期增长逻辑能否支撑股价再上行？
截至目前，美光年内累计涨幅仍超 220%，较 6 月 25 日的 52 周高点回调约 22%；SanDisk 年内涨幅超 480%，自 6 月 22 日历史高点回落近 30%。
触发本轮调整的直接因素有二：一是市场担忧内存价格上涨抑制智能手机、游戏主机等消费电子需求，反向传导至存储芯片端；二是三星电子近期宣布扩大韩国本土 DRAM 产能，引发投资者对存储供给过剩的恐慌，SanDisk 股价曾单日大跌 7.3%，板块联动效应下美光同步走弱。
拆解回调核心逻辑，两大市场担忧均未触及行业基本面的核心支撑，存在明显认知偏差。
其一，消费电子已不再主导存储行业需求格局。IDC 预计 2026 年全球智能手机销量下滑近 14%、PC 出货量收缩 11.3%，但 Counterpoint Research 数据显示，当前数据中心需求已占全球 DRAM 出货量的 50% 以上，消费终端波动对行业整体需求的影响已大幅弱化，2022 年消费电子下滑引发行业寒冬的历史难以简单复刻。
其二，三星 DRAM 扩产并不直接冲击 SanDisk 业务。SanDisk 主营 NAND 闪存与企业级 SSD，不涉及 DRAM 生产，与三星本次扩产的赛道在技术路线、下游应用上相互独立，二者无直接替代关系，SanDisk 此前的下跌更多属于板块情绪联动下的错杀。
支撑本轮存储行情的核心逻辑 ——AI 算力带来的存储需求结构性升级，至今并未动摇，反而持续强化。
DRAM 端，高带宽内存（HBM）已成为 AI 加速器标配，带宽可达传统 DRAM 的 10 倍以上，且单颗 HBM 消耗的晶圆产能是传统 DRAM 的 3 倍，产能扩张周期长、难度大。Bloomberg Intelligence 预测，2033 年前全球 HBM 市场将保持 42% 的年均复合增速。美光官方也明确表态，存储市场供需紧张态势将延续至 2027 年以后。
NAND 端，生成式 AI 带动企业级存储需求爆发。大模型训练、数据留存等场景推高大容量企业级 SSD 需求，麦肯锡测算，基准情景下 2030 年前全球企业级 NAND SSD 出货量将保持 35% 的年均增速，成为 SanDisk 的核心增长引擎。当前行业新增产能多聚焦高端 AI 存储，爬坡周期普遍超 2 年，短期难以填补供需缺口。
股价回调的同时，两家公司盈利持续高增，大幅消化了估值压力。市场一致预期，美光本财年每股收益同比增长 785% 至 73.32 美元，2027 财年有望升至 152.62 美元；SanDisk 2026 财年每股收益预计达 66.41 美元，同比增幅超 2100%。对比纳斯达克综合指数 39 倍的平均市盈率，两家公司当前估值在高成长科技赛道中仍处于合理区间。
但投资者仍需警惕风险：存储行业强周期属性并未完全消失，AI 资本开支节奏若不及预期将边际影响需求；SanDisk 当前超 70% 的营业利润率处于历史高位，难以长期维持；美光市值已突破万亿美元，长期大幅上涨空间有限，需理性下调收益预期。
综合来看，美光与 SanDisk 的本轮回调更多由短期情绪扰动与市场误读驱动，AI 存储的核心增长逻辑并未动摇，为中长期投资者提供了以更优价格布局的窗口。但需规避短期博弈思维，紧密跟踪行业供需格局与业绩兑现节奏。
