本轮存储行情由AI服务器需求拉动，HBM是增长核心，而供给端的刚性约束拉长涨价周期。短期之内头部韩厂依旧占据市场主导地位，中国存储企业仍处在技术追赶阶段，市场份额提升尚需时间。
高盛召开DRAM和HBM市场专家电话会，并发布韩国半导体存储行业最新研报。研报援引专家观点判断，存储芯片市场高景气将贯穿2027年，延续至2028年上半年。基于HBM与传统DRAM价格向好预期，高盛重申三星电子、SK海力士(SKHY)的买入评级，目标价分别为50万韩元、350万韩元。
DRAM价格涨势延续，长协约束涨幅空间
TrendForce预测，2027年DRAM供应持续紧张。消费端需求偏弱，但服务器需求旺盛叠加产能增量有限，支撑DRAM均价继续上行。当前长期协议覆盖率达到60%至70%，会缓和全年价格涨幅，超出协议部分的增量需求仍可议价，价格上涨趋势有望延续至2028年上半年。
HBM价格大幅走高，行业收入规模快速扩张
2027年HBM综合均价预计同比上涨122%至3.7美元/Gb，带动行业收入增幅超230%，突破2000亿美元。不同客户、供应商之间定价分化明显，高端HBM4价格可超5美元/Gb，低端产品接近3美元/Gb。受裸片成本影响，8层HBM4单位比特价格高于12层产品5%至10%，HBM4E定价预计显著高于HBM4，该判断和高盛此前预期相符。
产能扩张存在瓶颈，新增供给释放节奏偏慢
即便厂商加码资本开支，无尘室空间与设备交付周期仍构成制约，2028年前DRAM难以实现实质性扩产。2027年两家韩国厂商每月合计新增产能约8万至10万片，三星电子新增产能优先投向HBM，传统DRAM比特增长依靠技术迭代。设备供应状况预计2027年下半年改善，新晶圆厂从2028年起才能贡献有效供给，厂商也会根据需求动态调整扩产计划。
需求来源持续拓宽，国产厂商短期追赶难度较大
谷歌(GOOGL)的TPU业务成为HBM需求新增长极，带动HBM需求跨代发展，HBM4在明年将占据行业近六成收入。在中国厂商方面，TrendForce认为，福建晋华(JHICC)、长鑫存储(CXMT)在技术、良率上和头部企业差距明显，中期竞争风险有限，2027年国内厂商HBM市场份额不足2%，其中福建晋华聚焦HBM2E，长鑫存储主攻HBM3/3E。
