
American Tungsten Corp. (TSXV: TUNG, OTCQB: DEMRF)
构筑美国国防关键金属自主供应链
周一,中国DRAM制造商长鑫科技(CXMT)正式在上海科创板挂牌交易。该公司通过IPO募资约85亿美元,估值高达约850亿美元,创下中国半导体企业A股上市之最。对于全球第三大DRAM厂商美光Micron Technology (MU)的投资者而言,这一时刻颇为微妙——在AI存储芯片热潮是否见顶的争议中,长鑫的入场增添了新的变量。
长鑫的增长速度确实惊人。据Omdia数据,其全球DRAM市场份额已从2025年四季度的4.7%跃升至2026年一季度的7.6%,跃居全球第四。同期,三星、SK海力士和美光的市场份额分别约为39%、29%和22%。这一跃升的背景是AI驱动的存储芯片短缺中,三大巨头无法满足全部需求,长鑫顺势填补了缺口。
但市场份额的增长,并不等同于对美光的直接威胁。去年长鑫超过98%的收入来自传统DRAM——即用于服务器和智能手机的大宗商品级芯片。而在高带宽存储器(HBM)领域,即与AI加速器堆叠使用的高端产品,长鑫几乎毫无存在感。三大巨头在这一领域拥有以年计的技术代差,而本轮存储芯片繁荣的最丰厚利润,恰恰集中在HBM上。
美光的财务数据清晰地反映了这一格局。2026财年第三季度(截至5月28日),美光营收达415亿美元,同比增长逾四倍;净利润282亿美元;经营现金流254亿美元,环比增长逾一倍。对于第四财季,管理层指引营收约500亿美元,毛利率高达约86%。这样的数字,来自先进存储芯片在短缺中的溢价销售,这是大宗商品级DRAM厂商无法企及的。
长鑫IPO带来的真正变数,在于更远的供应端。 公司计划将募集资金用于产线升级和下一代DRAM研发,若超额配股权行使,总筹资额或接近100亿美元,几乎较原计划翻倍。存储芯片价格高度依赖供需平衡,而历次存储芯片繁荣的终结,几乎都以同一方式收场——景气周期中累积的新产能集中释放。长鑫的上市,正是为这种产能扩张提供了充足弹药。
美光自身的周期性波动也印证了这一风险。在2023财年的上一轮下行周期中,美光净亏损达58亿美元;而如今单个季度的利润已接近这一数字的五倍。同样的经营杠杆,在周期逆转时将以同等力度反向作用。
对美光投资者而言,理性看待长鑫上市或许是最佳策略。 美光当前股价约920美元,对应市盈率约21倍——这一估值已隐含市场对当前盈利爆发不可持续的预期。市场从未相信这轮繁荣会永远持续,无论长鑫是否出现。短期来看,长鑫在HBM领域的空白意味着美光的核心利润区暂时安全;但长期而言,这笔巨额融资无疑将加速中国DRAM产业的追赶步伐。多空之间的博弈,才刚刚开始。